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BSS63-Q中文资料PNP high-voltage transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

BSS63-Q

参数属性

BSS63-Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB

功能描述

PNP high-voltage transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 16:30:00

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BSS63-Q规格书详情

描述 Description

PNP high-voltage transistor in a SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

特性 Features

• Low current (max. 100 mA)
• High voltage (max. 100 V)
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

应用 Application

• High-voltage general purpose
• Switching applications

技术参数

  • 制造商编号

    :BSS63-Q

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SOT23

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.3 x 1

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot (mW)

    :250

  • VCEO [max] (V)

    :-100

  • IC [max] (mA)

    :-100

  • hFE [min]

    :30

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :50

  • Automotive qualified

    :Y

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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