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BSS138DWK-13	文件：707.2 Kbytes Page：7 Pages	丝印：38D；Package：SOT363；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control 文件：707.2 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWK-7	文件：707.2 Kbytes Page：7 Pages	丝印：38D；Package：SOT363；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control 文件：707.2 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWQ	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWQ-13	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWQ-7	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DW	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：105.91 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DW_1	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：105.91 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DW_15	文件：219.76 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：219.76 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DW-7	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：105.91 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DW-7-F	文件：945.68 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：945.68 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
BSS138DWQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

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