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BSS138DWQ	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWQ-13	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWQ-7	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138DWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

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更多BSS138DWQ供应商更新时间2025-12-18 10:20:00

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