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BSS138K	文件：294.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS138K	文件：509.39 Kbytes Page：7 Pages	50VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS138K	文件：1.96629 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance N-ChannelMOSFET Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed ESDProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS138K	文件：269.14 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on) RuggedandRelaible APPLICATION DirectLogic-LevelInterface:TTL/CMOS Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Display, Memories,Transistors,etc. BatteryOperatedSystems Solid-StateRelays	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BSS138L	文件：117.05 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET200mA,50V PowerMOSFET200mA,50V N−ChannelSOT−23 TypicalapplicationsareDC−DCconverters,powermanagementinportableandbattery−poweredproductssuchascomputers,printers,PCMCIAcards,cellularandcordlesstelephones. Features •LowThresholdVoltage(VGS(th):0.5V−1.5V)Make	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS138L	文件：478.62 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET0.2A,50VN-CHANNEL DESCRIPTION The BSS138LisavailableinSOT23package FEATURES ⚫50V/0.2A RDS(ON)=3.5Ω(Max)@VGS=5VID=0.2A RDS(ON)=10Ω(Max)@VGS=2.75VID=0.2A ⚫SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ⚫ReliableandRugged ⚫LowThresholdVoltage(0.5V-1.5V)MakeitIdealforLow	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BSS138L	文件：1.96267 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance N-ChannelMOSFET Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed ESDProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS138L	文件：265.56 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET–Power,N-Channel,SOT-23200mA,50V Features •LowThresholdVoltage(VGS(th):0.85V−1.5V)MakesitIdealfor LowVoltageApplications •MiniatureSOT−23SurfaceMountPackageSavesBoardSpace •HBMClass0A,MMClassM1A,CDMClassIV(Note3) •BVSSPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSS138N	文件：230.2 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •Logiclevel •dv/dtrated •Pb-freelead-plating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS138N	文件：237.26 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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