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BSS138AKQB-Q	文件：302.68 Kbytes Page：15 Pages	Marking：QL；Package：SOT8015；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1110D-3 (SOT8015)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS138AKRA-Q	文件：319.24 Kbytes Page：15 Pages	60V,dualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1412-6 (SOT1268)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •Trench	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS138BK	文件：1.58605 Mbytes Page：16 Pages	60V,360mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ES	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS138BK	文件：1.96664 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance N-ChannelMOSFET Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed ESDProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS138BKAHZG	文件：5.29776 Mbytes Page：14 Pages	Nch60V400mASmallSignalMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BSS138BKS	文件：861.19 Kbytes Page：18 Pages	60V,320mAdualN-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS138BKS	文件：1.60573 Mbytes Page：17 Pages	60V,320mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363 (SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS138BKW	文件：864.87 Kbytes Page：16 Pages	60V,320mAN-channelTrenchMOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ■Logic-levelcompatible ■Veryfastswitching ■TrenchMOSFETtechnology ■ESDprotection	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS138BKW	文件：5.39414 Mbytes Page：14 Pages	Nch60V380mASmallSignalMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BSS138BKW	文件：1.58549 Mbytes Page：16 Pages	60V,320mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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