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BSS138BKW	文件：1.98563 Mbytes Page：5 Pages	nullN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Lowon-resistance N-ChannelMOSFET Lowinputcapacitance Fastswitchingspeed ESDProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS138BWAHZG	文件：5.40212 Mbytes Page：14 Pages	Nch60V380mASmallSignalMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BSS138C	文件：381.58 Kbytes Page：5 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits: AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
BSS138-CAR	文件：1.75106 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS APPLICATION DirectLogic-LevelInterface:TTL/CMOS Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,Display, Memories,Transistors,etc. BatteryOperatedSystems Solid-StateRelays FEATURE HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on) RuggedandRelaible -CARforautomotiveandother	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BSS138CR	文件：381.85 Kbytes Page：5 Pages	AdvancedMOSFETprocesstechnology FeaturesandBenefits: AdvancedMOSFETprocesstechnology SpecialdesignedforPWM,loadswitchingand generalpurposeapplications Ultralowon-resistancewithlowgatecharge Fastswitchingandreversebodyrecovery 150℃operatingtemperature Description: Itutilizesthelates	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
BSS138DW	文件：58.79 Kbytes Page：1 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ●LowOn-Resistance ●LowGateThresholdVoltage ●LowInputCapacitance ●Fast	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS138DW	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS138DW	文件：115.47 Kbytes Page：5 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •AvailableinLeadFree/RoHSCompliantVersion(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes5and6)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS138DW	文件：2.25313 Mbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET •LowOn-Resistance:1.5 FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition Ω •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BSS138DW	文件：2.25228 Mbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowOn-Resistance:2.5Ω •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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