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BSR19	文件：137.5 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U35；Package：SOT-23；NPN high voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR20 and BSR20A. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. 文件：137.5 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BSR19	文件：39.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN High-Voltage Transistors Features ● Low current (max. 300 mA) ● High voltage (max. 160 V). 文件：39.86 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR19A	文件：39.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN High-Voltage Transistors Features ● Low current (max. 300 mA) ● High voltage (max. 160 V). 文件：39.86 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR19A	文件：211.37 Kbytes Page：8 Pages	丝印：57；Package：SOT23；NPN high voltage transistor 1. General description NPN high-voltage transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: BSR20A 2. Features and benefits • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V) 3. Applications • General purpose switching and amplification • Espe 文件：211.37 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR19A	文件：91.65 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N?밣?밡 HIGH?밮OLTAGE TRANSISTORS SOT-23 Formed SMD Package N–P–N high–voltage small–signal transistors 文件：91.65 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BSR19A	文件：137.5 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U36；Package：SOT-23；NPN high voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR20 and BSR20A. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. 文件：137.5 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BSR19A	文件：67.54 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U36；Package：SOT-23；NPN high-voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR20 and BSR20A. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. 文件：67.54 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSR19A-Q	文件：191.25 Kbytes Page：9 Pages	丝印：57；Package：SOT23；NPN high voltage transistors 1. General description NPN high-voltage transistor in a small SOT23 plastic package. PNP complements: BSR20A-Q. 2. Features and benefits • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V) • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications 3. Applic 文件：191.25 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSR1AM-12	文件：106.77 Kbytes Page：5 Pages	LOW POWER USE GLASS PASSIVATION TYPE LOW POWER USE GLASS PASSIVATION TYPE • IT (RMS) ........................................................................ 1A • VDRM ....................................................................... 600V • IFGT I, IRGT II, IRGT III ............................................. 5mA • IFGT I 文件：106.77 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
BSR20	文件：67.89 Kbytes Page：8 Pages	PNP high-voltage transistors DESCRIPTION PNP high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BSR19 and BSR19A. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 150 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Telephony applications. 文件：67.89 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

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晶体管资料

型号：
BSR12
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
>1.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1764,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
15
htest：
1500100000
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
BSR
制造商：
MPD (Memory Protection Devices)
类别：
电池产品 > 配件
包装：
散装
配件类型：
铆钉
配套使用/相关产品：
9V 电池扣
描述：
9V FASTENING RIVET FOR SNAP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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