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BSR17A	文件：45.38 Kbytes Page：2 Pages	NPN Switching Transistors Features ● High current (max. 100 mA). ● Low voltage (max. 40 V). 文件：45.38 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR18	文件：62.34 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: BSR17A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed saturated switching. 文件：62.34 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSR18	文件：74.92 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. Sourced from Process 66. 文件：74.92 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BSR18A	文件：74.92 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. Sourced from Process 66. 文件：74.92 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BSR18A	文件：62.34 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: BSR17A. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • High-speed saturated switching. 文件：62.34 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSR18A	文件：150.17 Kbytes Page：4 Pages	SILICON LOW?밣OWER SWITCHING TRANSISTORS SILICON LOW–POWER SWITCHING TRANSISTORS P–N–P silicon transistor 文件：150.17 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BSR18A	文件：45.63 Kbytes Page：2 Pages	PNP Switching Transistor Features ● Low current (max. 100 mA). ● Low voltage (max. 40 V). 文件：45.63 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BSR18B	文件：278.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch. Sourced from Process 23. 文件：278.66 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BSR19	文件：67.54 Kbytes Page：8 Pages	丝印：U35；Package：SOT-23；NPN high-voltage transistors DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BSR20 and BSR20A. FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Especially used for telephony applications. 文件：67.54 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BSR19	文件：91.65 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N?밣?밡 HIGH?밮OLTAGE TRANSISTORS SOT-23 Formed SMD Package N–P–N high–voltage small–signal transistors 文件：91.65 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL

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晶体管资料

型号：
BSR12
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
>1.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1764,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
15
htest：
1500100000
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
BSR
制造商：
MPD (Memory Protection Devices)
类别：
电池产品 > 配件
包装：
散装
配件类型：
铆钉
配套使用/相关产品：
9V 电池扣
描述：
9V FASTENING RIVET FOR SNAP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市艾宇欣科技有限公司	BSR	MPD	1941+	N/A	3943	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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