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BSP318S	文件：1.92805 Mbytes Page：5 Pages	丝印：BSP318S；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. 文件：1.92805 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
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BSP318S	文件：129.81 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor(N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche rated) SIPMOS ® Small-Signal Transistor • N channel • Enhancement mode • Logic Level • Avalanche rated • VGS(th) = 1.2 ...2.0 V 文件：129.81 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSP318S	文件：76.26 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor Features • N-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated 文件：76.26 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP318S	文件：559.9 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：559.9 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSP318S_08	文件：559.9 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Small-Signal-Transistor 文件：559.9 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BSP318S
制造商：
Infineon Technologies
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Bulk
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N LOGIC SOT-223
功能描述：
MOSFET, N, LOGIC, SOT-223
功能描述：
MOSFET, N CH, 60V, 2.6A, SOT-223; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
2.6A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
0.12ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
4.5V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
1.6V ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V 2.6A Logic SOT223

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更多BSP318S供应商更新时间2025-9-21 9:38:00

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