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BSP295	文件：1.92454 Mbytes Page：5 Pages	型号：BSP295；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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BSP295

文件：1.92454 Mbytes

Page：5 Pages

型号：BSP295；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

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详细参数

型号：
BSP295
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N LOGIC SOT-223
功能描述：
MOSFET, N, LOGIC, SOT-223
功能描述：
MOSFET, N CH, 60V, 1.8A, SOT-223; Transistor Polarity
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V 1.8A SOT223

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