SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)

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SIEMENS

西门子

SIPMOS Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飞凌

SIPMOS Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飞凌

SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飞凌

SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor

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英飞凌

SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飞凌

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche rated)

Infineon

英飞凌

采用 SOT223 封装的工业级 P 沟道功率 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性

Industrial grade P-channel power MOSFET in SOT223 package, reducing design complexity in medium and low power applications • Low on-resistance\n• 100% avalanche tested\n• Logic level\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant\n• Qualified for industrial applications\n\n优势:\n• Easy interface to MCU\n• Improved efficiency at low loads\n• Fast switching\n• Avalanche ruggedness\n• Best-in-class quality and reliability\n ;

Infineon

英飞凌

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-60 V，SOT-223

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

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