| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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2年
留言
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Infineon/英飞凌SOT-223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌TSOP-6 |
3000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌TSOP6L |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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3年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
1847 |
25+ |
MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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2年
留言
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Infineon/英飞凌SOT223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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12年
留言
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INFINEONSOT223-3 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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15年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
68400 |
26+ |
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Infineon(英飞凌)_BSP171PH6327即刻询购立享优惠#长期有订 |
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9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
1000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
20000 |
26+ |
原装,可BOM配单 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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INFINEONSOT223 |
2260 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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3年
留言
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INFINEONPG-SOT223-4 |
6800 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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4年
留言
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INFINEONSOT223 |
7850 |
23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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5年
留言
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英飞凌SOT223 |
15000 |
23+ |
原装优质现货订货渠道商 |
BSP17采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSP171P价格
BSP171P价格:¥1.3000品牌:INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的BSP171P多少钱,想知道BSP171P价格是多少?参考价:¥1.3000。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSP171P批发价格及采购报价,BSP171P销售排行榜及行情走势,BSP171P报价。
BSP170PH632资讯
BSP170PH632中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP17制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223
BSP170制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor(P channel Enhancement mode Avalanche rated)
BSP170P制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223
BSP170P L6327功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP170P_09制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP170PE6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP170PE6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP170PE6327NTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
BSP170PE6327T功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP170PE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R



































