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Infineon/英飞凌SOT-223

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INFINEON/英飞凌TSOP-6

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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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INFINEON/英飞凌TSOP6L

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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BSP170PH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)N/A

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MOSFET P-Ch -60V -1.9A SOT-223-3

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BSP171PH6327XTSA1

INFINEONN/A

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BSP170P

Infineon/英飞凌SOT223

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BSP170PH6327

INFINEONSOT223-3

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BSP171PH6327

Infineon/英飞凌原厂封装

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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BSP171PH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)N/A

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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BSP171PH6327

Infineon(英飞凌)SOT-223-4

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Infineon(英飞凌)_BSP171PH6327即刻询购立享优惠#长期有订

深圳飞弛宏科技有限公司

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BSP171PH6327

INFINEON/英飞凌SOT223

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BSP170P

INFINEON/英飞凌SOT-223

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Infineon(英飞凌)SOT-223-4

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Infineon(英飞凌)SOT-223-4

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INFINEONSOT223

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深圳市禾兴威科技有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市英博尔电子有限公司

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BSP17制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223

BSP170制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal Transistor(P channel Enhancement mode Avalanche rated)

BSP170P制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 1.9A SOT223

BSP170P L6327功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP170P_09制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP170PE6327功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP170PE6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP170PE6327NTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

BSP170PE6327T功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP170PE6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R