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详细参数

  • 型号:

    BSM400GA120DN2C

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT 1200V 400A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
英飞凌Infineon
2021+
原厂封装
7000
只做原装,可提供样品
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Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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INFINEON
23+
MODULE
8000
专注配单,只做原装进口现货
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INFINEON
23+
MODULE
7000
询价
INFINEON
24+
MODULE
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全新原装现货
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模块
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INFINEON
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更多BSM400GA120DN2C供应商 更新时间2025-10-31 17:15:00