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BSM50GX120DN2

IGBT Power Module

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

BSM50GX120DN2BOSA1

包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

BSM50GX120DN2BPSA1

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    BSM50GX120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模块

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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Infineon(英飞凌)
23+
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IGBT模块
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更多BSM50GX120DN2供应商 更新时间2024-4-29 16:16:00