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BSM50GB120DN2	文件：112.38 Kbytes Page：9 Pages	IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：112.38 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BSM50GB120DN2	文件：260.399 Kbytes Page：10 Pages	IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：260.399 Kbytes 页数：10 Pages	EUPEC	EUPEC
BSM50GB120DLC	文件：147.59 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT模块 BSM50GB120DLC 文件：147.59 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	INFINEON
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BSM50GB120DLCHOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 115A 460W	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
BSM50GB120D
功能描述：
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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