| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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162150 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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德国英飞凌Infineon原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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INFINEONMODULE |
1860 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IGBT模块 |
26 |
23+ |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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德国英飞凌Infineon原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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infineonIGBTMODULE |
3150 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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EUPECIGBT |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市锦达世纪科技有限公司8年
留言
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0 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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欧派克 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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SIEMENS模块 |
362 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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EUPEC模块 |
300 |
2018 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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BSM50GB120DLC价格
BSM50GB120DLC价格：￥475.7516品牌：INFINEON
生产厂家品牌为INFINEON的BSM50GB120DLC多少钱，想知道BSM50GB120DLC价格是多少？参考价：￥475.7516。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSM50GB120DLC批发价格及采购报价，BSM50GB120DLC销售排行榜及行情走势，BSM50GB120DLC报价。
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BSM50GB120DLC 全新现货，质量保证
BSM50GB120DLCIGBT模块1200V50ADUAL
BSM50GB120DN2 全新现货，质量保证
BSM50GB120DN2IGBT模块1200V50ADUAL
BSM50GB120DN2
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BSM50GB120DN2 BSM50GB120DLC SKM50GB123D IGBT模块
〖关于售后〗1、买家收货时请在快递员未离开前当面拆开快件并认真检查产品数量是否齐全、外观是否完好，如果发现问题请勿马上签收，并及时与我取得联系，以便我们共同解决问题。一旦签收，将视为您对产品外观和数量的认同。2、若买家在收到货后对产品有任何疑问，请先与我们联系并协商解决。请不要在没有联系我们之
BSM50GB120DLC
BSM50GB120DLC,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，买模块选赛尔通模块商行。
BSM50GB120DLC 深圳市宝隆宏业科技有限公司
BSM50GB120DLCSF500EX25MEE250-12DA
BSM50GB120D中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM50GB120D功能描述:IGBT Module
BSM50GB120DLC功能描述:IGBT 模块 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM50GB120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 50A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
