BSM50GB120DN2 全新现货，质量保证
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: ? 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
Pd-功率耗散: 400 W
封装 / 箱体: Half Bridge1
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
技术: Si
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM50GB120DN2HOSA1 SP000095922 BSM50GB120DN2HOSA1
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