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BSM120C12P2C201	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）功率模块本品是使用ROHM生产的SiC-DMOSFET和SiC肖特基势垒二极管的斩波结构的SiC MOSFET模块。 • Low surge, low switching loss.\n• High-speed switching possible.\n• Reduced temperature dependance.;	ROHM 罗姆	ROHM
BSM120C12P2C201	文件：1.037579 Mbytes Page：12 Pages	SiC Power Module 文件：1.037579 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BSM150GB170DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	INFINEO 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	INFINEO
BSM150GB60DLC	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon
BSM150GT120DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon

技术参数

封装：
C
包装数量：
12
最小独立包装数量：
12
包装形态：
Corrugated Cardboard
RoHS：
Yes
Drain-source Voltage[V]：
1200
Drain Current[A]：
134
Total Power Dissipation[W]：
935
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
125
Package：
Chopper
Package Size [mm]：
122x45.6 (t=17.5)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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