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BSM120C12P2C201数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

BSM120C12P2C201

功能描述

SiC(碳化硅)功率模块

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:12:00

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BSM120C12P2C201规格书详情

描述 Description

本品是使用ROHM生产的SiC-DMOSFET和SiC肖特基势垒二极管的斩波结构的SiC MOSFET模块。

特性 Features

• Low surge, low switching loss.
• High-speed switching possible.
• Reduced temperature dependance.

技术参数

  • 制造商编号

    :BSM120C12P2C201

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :C

  • 包装数量

    :12

  • 最小独立包装数量

    :12

  • 包装形态

    :Corrugated Cardboard

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :1200

  • Drain Current[A]

    :134

  • Total Power Dissipation[W]

    :935

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :125

  • Package

    :Chopper

  • Package Size [mm]

    :122x45.6 (t=17.5)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EUPEC
24+
module
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
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23+
IGBT
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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24+
N/A
50000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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185600
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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100
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模块原装主营-可开原型号增税票
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SMD2920
25000
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23+
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BORN
22+
SMD2920
20000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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