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BSM120C12P2C201中文资料SiC（碳化硅）功率模块数据手册ROHM规格书
BSM120C12P2C201规格书详情
描述 Description
本品是使用ROHM生产的SiC-DMOSFET和SiC肖特基势垒二极管的斩波结构的SiC MOSFET模块。
特性 Features
• Low surge, low switching loss.
• High-speed switching possible.
• Reduced temperature dependance.
技术参数
- 制造商编号
：BSM120C12P2C201
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：C
- 包装数量
：12
- 最小独立包装数量
：12
- 包装形态
：Corrugated Cardboard
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain Current[A]
：134
- Total Power Dissipation[W]
：935
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-40
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：125
- Package
：Chopper
- Package Size [mm]
：122x45.6 (t=17.5)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM121 |
12 |
12 |
询价 | ||||
ROHM |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
询价 | ||
ROHM |
21+ |
11 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | |||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
IGBT |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
50000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
西门子场效应 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
询价 | ||||
BORN |
22+ |
SMD2920 |
25000 |
伯恩全系列在售 |
询价 | ||
EUPEC |
23+ |
MODULE |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
