BSH108数据手册Nexperia中文资料规格书
BSH108规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- 型号：
BSH108
- 功能描述：
MOSFET TAPE7 PWR-MO
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
SOT23 |
16069 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT23 |
96000 |
公司大量原装现货,欢迎来电 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SMD |
8000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT23 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT23 |
80000 |
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询价 |
