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BSG0811ND数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BSG0811ND

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:00:00

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BSG0811ND规格书详情

描述 Description

OptiMOS ™ 5 电源模块采用外形为5.0x6.0mm²的无引脚 SMD 封装,包括同步降压转换器配置的低侧 MOSFET 和高侧 MOSFET。通过使用 OptiMOS ™ 5 电源模块替换两个独立的分立封装(如 SO8 或 SuperSO8),客户可以将设计缩小至85%。标准化电源模块可以使客户受益,因为市场上不同尺寸的封装类型极少。

特性 Features

• 最高平均负载电流 50A
• 源极低侧 MOSFET 可实现更好的 PCB 冷却
• 内部连接的低侧和高侧(低环路电感)
• 高侧开尔文连接,可以提高驱动效率

优势:
• DC-DC 转换器布局紧凑而简洁
• 具有最低环路电感和最佳热性能的优化布局

应用 Application

• 台式机和服务器
• 单相和多相 POL
• 笔记本电脑、DDR 内存中的 CPU/GPU 调节器
• 高功率密度稳压器

技术参数

  • 制造商编号

    :BSG0811ND

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSG0811NDATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TISON-8

  • VDS max

    :25 V/25 V

  • RDS (on) @10V max

    :0.8 mΩ/3 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :1.1 mΩ/4 mΩ

  • QG typ @4.5V

    :5.6 nC/20 nC

  • Polarity

    :N+N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :1.2 V

  • VGS(th) max

    :2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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