BSH105中文资料N-channel vertical D-MOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
BSH105规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using vertical D-MOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
BSH105
- 功能描述：
MOSFET TAPE7 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT23 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT-23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT23 |
12300 |
询价 | |||
恩XP |
2023+ |
SOT-23 |
2000 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT23 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
恩XP |
19+ |
SOT23 |
200000 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
503378 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 |
