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BSG0812ND数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

BSG0812ND

参数属性

BSG0812ND 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 8TISON

功能描述

OptiMOS™ 5 25 V Power Block in 5x6 mm²
MOSFET N-CH 8TISON

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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BSG0812ND规格书详情

简介

BSG0812ND属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的BSG0812ND晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

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  • 产品编号:

    BSG0812NDATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    MOSFET N-CH 8TISON

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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