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DTC314TK	文件：75.93 Kbytes Page：3 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC314TK	文件：74.4 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC314TS	文件：74.4 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC314TU	文件：74.4 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DTC314TU	文件：75.93 Kbytes Page：3 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EL-314	文件：192.43 Kbytes Page：2 Pages	InfraredEmittingDiodes(GaAs) TheEL-314ahigh-powerGaAsIREDmountedinaclearsidelookingpackage,iscompact,lowprofile,andeasytomount. FEATURES •Compact •Lowprofilepackage •Low-cost •Sidelookingplasticpackage APPLICATIONS •Photointerrupters •Opticalswitches •Toys	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
ESDS314	文件：548.64 Kbytes Page：17 Pages	Data-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ESDS314	文件：1.15345 Mbytes Page：21 Pages	Data-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ESDS314	文件：1.2376 Mbytes Page：24 Pages	ESDS31xData-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray 1Features •IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVContactDischarge –±30kVAirGapDischarge •IEC61000-4-4EFTprotection: –80A(5/50ns) •IEC61000-4-5surgeprotection: –25A(8/20μs) •IOcapacitance: –4.5pF(typical) •DCbreakdownvoltage:5.5V(minimum) •Ultralowleakagec	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ESDS314DBVR	文件：548.64 Kbytes Page：17 Pages	Data-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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详细参数

型号：
BSD314SPE
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS?-P 3 Small-Signal-Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSD314SPE供应商更新时间2025-7-14 20:41:00

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