DTC314TK分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DTC314TK |
| 参数属性 | DTC314TK 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 |
| 功能描述 | Digital transistors (built-in resistor) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
75.93 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-28 16:17:00 |
| 人工找货 | DTC314TK价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DTC314TK规格书详情
600mA/ 15V Digital transistors(with built-in resistors)
Features
In addition to the features ofregular digital transistors,
1) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=40mVat IC/IB=50mA/2.5mA, makes these transistors ideal for muting circuits.
2) Thesetransistors can be usedat highcurrent levels, IC=600mA.
Applications
Muting, Inverter, Interface, Driver
Structure
NPN epitaxial planar silicon transistor(Resistor built-in type)
产品属性
- 产品编号：
DTC314TKT146
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
80mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SMT3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
23+ |
SOT-23 |
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