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BSD314SPE

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-100 V,SOT-223

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

BSD314SPE

OptiMOS??P 3 Small-Signal-Transistor

文件:258.94 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSL314PE

OptiMOS??P 3 Small-Signal-Transistor

文件:243.22 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSL314PE

OptiMOS??P 3 Small-Signal-Transistor

文件:370.82 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSS314PE

OptiMOS??P 3 Small-Signal-Transistor

文件:247.65 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSD314SPEH6327XTSA1

  • Qualification:

    Automotive

  • Package name:

    PG-SOT363-6

  • VDS max:

    -30 V

  • RDS (on) @10V max:

    140 mΩ

  • QG typ @10V:

    -2.9 nC

  • Special Features:

    Small Signal

  • VGS(th) min:

    -1 V

  • VGS(th) max:

    -2 V

  • Technology:

    OptiMOS™ P3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
25+
SOT-363
39350
INFINEON/英飞凌全新特价BSD314SPE即刻询购立享优惠#长期有货
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INFINEON/英飞凌
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SOT-363
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