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CD223NRB	文件：144.51 Kbytes Page：2 Pages	Safetyswitch,generalduty,fusible,100A,120/240VAC,2poles,30hp,solidneutral,NEMA3Rwithboltonhub	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
CDCDLP223	文件：147.99 Kbytes Page：7 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPTMSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCDLP223	文件：205.19 Kbytes Page：9 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CDCDLP223	文件：528.45 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCDLP223PW	文件：528.45 Kbytes Page：10 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCDLP223PWR	文件：205.19 Kbytes Page：9 Pages	3.3VClockSynthesizerforDLPSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
BSD223P
功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
OptiMOS™
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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