| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
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Infineon(英飞凌)6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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INFINEON/英飞凌SOT-363 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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7年
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Infineon(英飞凌)6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
22412 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEONTO23PB |
2860 |
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原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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7年
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INFINEON/英飞凌SOT-363 |
5000 |
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原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-363 |
300000 |
19+ |
原装正品 可含税交易 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOT-363-6 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOT-363-6 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-363-6 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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4年
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
49300 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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11年
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INFINEONSOT-363 |
3250 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-363 |
3250 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-363 |
33549 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌全新特价BSD223P即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7098 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
22360 |
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样件支持,可原厂排单订货! |
BSD223P采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSD223P图片
BSD223PH6327XTSA1价格
BSD223PH6327XTSA1价格：￥0.2749品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSD223PH6327XTSA1多少钱，想知道BSD223PH6327XTSA1价格是多少？参考价：￥0.2749。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSD223PH6327XTSA1批发价格及采购报价，BSD223PH6327XTSA1销售排行榜及行情走势，BSD223PH6327XTSA1报价。
BSD223P中文资料Alldatasheet PDF
更多BSD223P功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:OptiMOS™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
BSD223P H6327功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:OptiMOS™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
BSD223P L6327功能描述:MOSFET P-CH -20 V -.35 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSD223P_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
BSD223PH6327XTSA1功能描述:MOSFET P-CHANNEL MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSD223PL6327制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363
BSD223PL6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R
