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BSC016N06NSSC	文件：997.37 Kbytes Page：11 Pages	Marking：016N06SC；Package：PG-WSON-8-2；OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V Features •Doublesidecooledpackage-withlowestJuntion-topthermalresistance •175°Crated •Optimizedforsynchronousrectification •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •High	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC016N06NST	文件：1.41665 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTMPower-MOSFET,60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NTMFD016N06C	文件：225.64 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,DualN-Channel,DUALSO8FL60V,16.3m,32A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS016N06C	文件：189.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SO-8FL60V,15.6m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS016N06C	文件：208.97 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS016N06CTWG	文件：208.97 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS016N06C	文件：280.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS016N06CTAG	文件：280.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS016N06CTAG	文件：280.43 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,16.3m,32A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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