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BSC016N06NST	文件：1.41665 Mbytes Page：13 Pages	丝印：016N06NT；Package：TDSON-8FL；OptiMOSTM Power-MOSFET, 60 V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
NTMFD016N06C	文件：225.64 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,DualN-Channel,DUALSO8FL60V,16.3m,32A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS016N06C	文件：189.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SO-8FL60V,15.6m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS016N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMYS016N06C	文件：208.97 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel60V,16m,33A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BSC018NE2LSA	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon TDSON-8	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司上传：深圳市威尔健半导体有限公司

更多BSC016N06NST供应商更新时间2025-8-2 16:12:00