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BS250	文件：50 Kbytes Page：8 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinTO-92variantenvelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •LowRDS(on) •DirectinterfacetoC-MOS •High-speedswitching •Nosecondbreakdown	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS250	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR Features ●HighInputImpedance ●FastSwitchingSpeed ●CMOSLogicCompatibleInput ●NoThermalRunawayorSecondaryBreakdown	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS250	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:8 •LowThreshold:−1.9V •FastSwitchingSpeed:16ns •LowInputCapacitance:15pF BENEFITS •EaseinDrivingSwitches •LowOffset(Error)Voltage •Low-VoltageOperation •High-SpeedSwitching •EasilyDrivenWithoutBuffer AP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BS250	文件：239.4 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
BS250	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BS250F	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET SOT23P-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARTMARKINGDETAIL-SP	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BS250F	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	BS250F PARTMARKINGDETAIL-MX	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS250FTA	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKINGDETAIL-MX	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BS250FTA	文件：1.6117 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:3 •LowThreshold:-2V(typ.) •FastSwtichingSpeed:20ns(typ.) •LowInputCapacitance:20pF(typ.) •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BS250FTA	文件：3.15946 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Mosfet \| Application «Batteryprotection «Loadswitch ©Powermanagement	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
BS25
功能描述：
MOSFET 45V 0.18A 0.83W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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