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BS250	文件：50 Kbytes Page：8 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in TO-92 variant envelope and intended for use in relay, high-speed and line-transformer drivers. FEATURES • Low RDS(on) • Direct interface to C-MOS • High-speed switching • No second breakdown 文件：50 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BS250	文件：62.88 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • High-Side Switching • Low On-Resistance: 8 • Low Threshold: −1.9 V • Fast Switching Speed: 16 ns • Low Input Capacitance: 15 pF BENEFITS • Ease in Driving Switches • Low Offset (Error) Voltage • Low-Voltage Operation • High-Speed Switching • Easily Driven Without Buffer AP 文件：62.88 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BS250	文件：75.94 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description: P-Channel, 60 V (D-S) MOSFET Package: SOT-23 Pin Out: Identical 文件：75.94 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BS250	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR Features ● High Input Impedance ● Fast Switching Speed ● CMOS Logic Compatible Input ● No Thermal Runaway or Secondary Breakdown 文件：62.31 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250	文件：239.4 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (P-Channel) FEATURES ♦ High input impedance ♦ High-speed switching ♦ No minority carrier storage time ♦ CMOS logic compatible input ♦ No thermal runaway ♦ No secondary breakdown 文件：239.4 Kbytes 页数：5 Pages	GE	GE
BS250F	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	BS250F PARTMARKING DETAIL - MX 文件：86.15 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250F	文件：80.5 Kbytes Page：3 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKING DETAIL - SP 文件：80.5 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
BS250FTA	文件：86.15 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET PARTMARKING DETAIL - MX 文件：86.15 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS250FTA	文件：1.6117 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • High-Side Switching • Low On-Resistance: 3  • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.6117 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
BS250FTA	文件：3.15946 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Mosfet \| Application « Battery protection « Load switch © Power management 文件：3.15946 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
45 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.23 A
PD @ TA = +25°C：
0.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
14000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
E-Line

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BS250P	DIODES/美台	25+	TO-92	32000	DIODES/美台全新特价BS250P即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多BS25供应商更新时间2026-4-18 14:14:00

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