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BS107P

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

文件:31.16 Kbytes 页数:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BS107P_15

200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET

文件:658.45 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

BS107PSTZ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

文件:31.16 Kbytes 页数:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BS107RL1

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

文件:56.47 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BS107RLRA

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

文件:56.47 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BS108_11

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

文件:97.18 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BS108ZL1G

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level

文件:97.18 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BS109

DMOS Transistors (N-Channel)

文件:37.96 Kbytes 页数:2 Pages

GE

BS10A

Thermocouple Terminals

文件:352.89 Kbytes 页数:1 Pages

OMEGA

BS10-D

NON-INSULATED BUTT SPLICE

文件:79.19 Kbytes 页数:1 Pages

PANDUIT

晶体管资料

  • 型号:

    BS10-01A...07A

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Triac

  • 性质:

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    700V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    TW10N...C,TW12N...C,TW18N...,TW25N...,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    F-1

  • vtest:

    700

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    0

技术参数

  • 工作电压(V):

    2.8-3.2

  • 工作电流(mA):

    20

  • 亮度(mcd):

    200

  • 波长(nm):

    X

  • 均匀性(≥%):

    75

  • 工作温度(℃):

    -20-+70

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PANDUIT
441
全新原装 货期两周
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SHARP
13+
DIP-2
2140
原装分销
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11+
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6000
原装现货价格有优势量多可发货
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24+
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询价
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23+
TO-92
5000
原装正品,假一罚十
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ONS
24+
原厂封装
2738
原装现货假一罚十
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05+
原厂原装
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原装正品现货库存价优
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25+
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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23+
20A250V
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更多BS10供应商 更新时间2026-1-17 16:06:00