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BSS123	文件：77.44 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor SIPMOS®Small-Signal-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •dv/dtrated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：145.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	文件：98.79 Kbytes Page：3 Pages	PowerMOSFETN-Channel Features: LowOn-Resistance:6.0Ω LowInputCapacitance:20PF LowOutputCapacitance:9PF LowThreshole:2.8V FastSwitchingSpeed:20ns Application: DCtoDCConverter Cellular&PCMCIACard CordlessTelephone *PowerManagementinPortableandBatteryetc.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BSS123	文件：367.31 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：128.61 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	文件：128.509 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	文件：627.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •VoltageControlledSmallSignalSwitch •SurfaceMountPackage •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •HalogenFreeAvailableUponRequestByAddingSuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BSS123	文件：711.86 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Applications ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BSS123	文件：351.97 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description TheseN-Channelenhancementmodefieldeffecttransistorsusesadvancedtrenchtechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theseproductsareparticularlysuitedforlowvoltage,lowcurr	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
BSS123	文件：3.46577 Mbytes Page：8 Pages	SIPMOS??Small-Signal-TransistorFeature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
BRC123ECM
功能描述：
Datasheet|ADE-208-1445B|SEP.10.01|109K

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科恒伟业电子有限公司	BRC123ECMTL	HITACHI/日立	1942+	SOT-323	9852	只做原装正品现货或订货!假一赔十!	询价
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更多BRC123ECM供应商更新时间2025-7-26 15:14:00

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