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D2003UK	文件：60.51 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2003	文件：62.03 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2003	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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DGD2003	文件：688.91 Kbytes Page：11 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DGD2003	文件：741.59 Kbytes Page：11 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-8 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto200V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalDeadTimeof420nstoProtectMOSFETs -WideLowSideGat	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DL-LS2003	文件：239.05 Kbytes Page：1 Pages	INFRAREDLASERDIODE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DMP2003UPS	文件：603.04 Kbytes Page：7 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DS2003	文件：194.56 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrent/VoltageDarlingtonDrivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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