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BSH108	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: BSH108inSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
BSH108	文件：206.38 Kbytes Page：2 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement ■Highspeedswitch ■	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSH108	文件：418.83 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: BSH108inSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applicat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSH108	文件：2.30114 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Vbs=30V,Ip=3A Rosion)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSP108	文件：64.709 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BU108	文件：123.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage •HighSwitchingSpeed •CollectorCurrent-IC=5A APPLICATIONS •DesignedforhighvoltageCRTscanningapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU108	文件：126.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BYT108	文件：67.09 Kbytes Page：5 Pages	UltraFastRecoverySiliconPowerRectifier Features ●Multiplediffusion ●Epitaxial–planar ●Ultrafastforwardrecoverytime ●Ultrafastreverserecoverytime ●Lowreversecurrent ●Verygoodreversecurrentstabilityathightemperature ●Lowthermalresistance Applications FastrectifiersinS.M.P.S Freewheelingd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BYX108G	文件：41.49 Kbytes Page：8 Pages	High-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C108	文件：410.23 Kbytes Page：4 Pages	OCXOSurfaceMountPackageOptionalReflowProcessCompatibleOptionalAT-CutandSC-CutCrystalOptionsLowProfileCompactPackage Stratum3E Features LowProfile,CompactPackage Stratum3EStability SC-CutCrystal TypicalApplications SONET/SDHTransmissionSystems	Vectron Vectron International, Inc	Vectron

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详细参数

型号：
BLV108
制造商：
BELLING
制造商全称：
SHANGHAI BELLING CO., LTD.
功能描述：
BLV108

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