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BLF7G24LS-100中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书
BLF7G24LS-100规格书详情
描述 Description
100 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2300 MHz to 2400 MHz.
特性 Features
High efficiency
Integrated ESD protection
Low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability
Internally matched for ease of use
Excellent ruggedness
Low Rth providing excellent thermal stability
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
RF power amplifiers for base stations
Multicarrier applications in the 2300 MHz to 2400 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：BLF7G24LS-100
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：18.0
- PL(AV) (W)
：20.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：28.0
- ηD (%)
：27.0
- PL(1dB) (W)
：100.0
- PL(1dB) (dBm)
：50.0
- Test Signal
：NCDMA/IS95
- Fmin (MHz)
：2300
- Fmax (MHz)
：2400
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
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