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BLF7G10L-250数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
BLF7G10L-250规格书详情
描述 Description
General description
250 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 869 MHz to 960 MHz.Features and benefits
■ Excellent ruggedness
■ High efficiency
■ Low Rth providing excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (869 MHz to 960 MHz)
■ Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
■ Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
■ Internally matched for ease of use (input and output)
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
技术参数
- 产品编号：
BLF7G10L-250,118
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
920MHz ~ 960MHz
- 增益：
19.5dB
- 功率 - 输出：
60W
- 封装/外壳：
SOT-502A
- 供应商器件封装：
SOT502A
- 描述：
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
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