首页>BLF7G20LS-200>规格书详情
BLF7G20LS-200中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
BLF7G20LS-200 |
| 参数属性 | BLF7G20LS-200 封装/外壳为SOT-502B；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-502B |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | BLF7G20LS-200价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF7G20LS-200规格书详情
描述 Description
200 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1805 MHz to 1990 MHz
特性 Features
Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
Internally matched for ease of use
Excellent ruggedness
Integrated ESD protection
High efficiency
Designed for broadband operation (1805 MHz to 1990 MHz)
Low Rth providing excellent thermal stability
Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
应用 Application
RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multicarrier applications
技术参数
- 制造商编号
：BLF7G20LS-200
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：18.0
- PL(AV) (W)
：55.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：28.0
- ηD (%)
：33.0
- PL(1dB) (W)
：200.0
- PL(1dB) (dBm)
：53.0
- Test Signal
：2-c W-CDMA
- Fmin (MHz)
：1805
- Fmax (MHz)
：1990
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
18528 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
900 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SMD |
20 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
2450+ |
NI-770 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT-502 |
1806 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
1320 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | ||||
恩XP |
25+ |
SOT-502 |
32360 |
NXP/恩智浦全新特价BLF7G20LS-200即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
5000 |
原装正品!现货库存!量大可订货! |
询价 | |||
恩XP |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
