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BLF7G10LS-250中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书

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厂商型号

BLF7G10LS-250

参数属性

BLF7G10LS-250 封装/外壳为SOT-502B;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 250W SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封装外壳

SOT-502B

制造商

Ampleon Ampleon Netherlands B.V.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:06:00

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BLF7G10LS-250规格书详情

描述 Description

250 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz.

特性 Features

• Excellent ruggedness
• High efficiency
• Low thermal resistance providing excellent thermal stability
• Designed for broadband operation (869 MHz to 960 MHz)
• Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
• Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
• Internally matched for ease of use (input and output)
• Integrated ESD protection
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

应用 Application

• RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the 869 MHz to 960 MHz frequency = range

技术参数

  • 制造商编号

    :BLF7G10LS-250

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :19.5

  • PL(AV) (W)

    :60.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :30.0

  • ηD (%)

    :30.5

  • PL(1dB) (W)

    :250.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :54.0

  • Test Signal

    :2-c W-CDMA

  • Fmin (MHz)

    :920

  • Fmax (MHz)

    :960

  • Status

    :Not for design in

  • Matching

    :I/O

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