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BLF7G22LS-250P中文资料Power LDMOS transistor数据手册Ampleon规格书
BLF7G22LS-250P规格书详情
描述 Description
250 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz.
特性 Features
Excellent ruggedness
High efficiency
Internally matched for ease of use
Integrated ESD protection
Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
Low Rth providing excellent thermal stability
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
RF power amplifiers for W-CDMA base stations
Multicarrier applications in the 2110 MHz to 2170 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：BLF7G22LS-250P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：18.5
- PL(AV) (W)
：70.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：28.0
- ηD (%)
：31.0
- PL(1dB) (W)
：250.0
- PL(1dB) (dBm)
：54.0
- Test Signal
：2-c W-CDMA
- Fmin (MHz)
：2110
- Fmax (MHz)
：2170
- Status
：Not for design in
- Matching
：I/O
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