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BLF6G20S-45中文资料UHF power LDMOS transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

BLF6G20S-45

参数属性

BLF6G20S-45 封装/外壳为SOT-608B;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B

功能描述

UHF power LDMOS transistor

封装外壳

SOT-608B

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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BLF6G20S-45规格书详情

描述 Description

General description
45 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.

特性 Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 1805 MHz and 1880 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 360 mA:
   ♦ Average output power = 2.5 W
   ♦ Power gain = 19.2 dB (typ)
   ♦ Efficiency = 14 %
   ♦ ACPR = −50 dBc
■ Easy power control
■ Integrated ESD protection
■ Excellent ruggedness
■ High efficiency
■ Excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)
■ Internally matched for ease of use
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)Applications
■ RF power amplifiers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range.

技术参数

  • 产品编号:

    BLF6G20S-45,118

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.8GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    19.2dB

  • 额定电流(安培):

    13A

  • 功率 - 输出:

    2.5W

  • 封装/外壳:

    SOT-608B

  • 供应商器件封装:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B

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