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BLF6G10LS-200R中文资料Power LDMOS transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

BLF6G10LS-200R

参数属性

BLF6G10LS-200R 封装/外壳为SOT-502B;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封装外壳

SOT-502B

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:01:00

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技术参数

  • 产品编号:

    BLF6G10LS-200RN,11

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    871.5MHz ~ 891.5MHz

  • 增益:

    20dB

  • 额定电流(安培):

    49A

  • 功率 - 输出:

    40W

  • 封装/外壳:

    SOT-502B

  • 供应商器件封装:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
SOT502B
50000
全新原装正品现货,支持订货
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恩XP
24+
SOT-502B
5000
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恩XP
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30000
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23+
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