| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
90000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FREESCALESMD |
3540 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT502B |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市毅创弘电子科技有限公司11年
留言
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470 |
16+ |
原装正品 专营军工 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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NXPSOT502B |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
16048 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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NXP |
6528 |
1815+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原装现货订货价格优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
6000 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NXPQFN |
6852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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NXPSOT502B |
70 |
1510 |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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NXP/恩智浦SOT-502B |
108704 |
16+ |
全新进口原装 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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NXPNA |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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TDFN |
9852 |
2019+ |
一级代理放心购买/长期供应 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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NXPSMD |
2789 |
22+ |
全新原装自家现货!价格优势! |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司6年
留言
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NXP |
1200 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
2 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
BLF6G10LS-135R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BLF6G10LS-135R图片
BLF6G10LS-135RN:11价格
BLF6G10LS-135RN:11价格：￥415.8565品牌：NXP
生产厂家品牌为NXP的BLF6G10LS-135RN:11多少钱，想知道BLF6G10LS-135RN:11价格是多少？参考价：￥415.8565。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BLF6G10LS-135RN:11批发价格及采购报价，BLF6G10LS-135RN:11销售排行榜及行情走势，BLF6G10LS-135RN:11报价。
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BLF6G10LS-135R中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF6G10LS-135R功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G10LS-135R /T3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G10LS-135R,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G10LS-135R,118功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G10LS-135RN制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Power LDMOS transistor
BLF6G10LS-135RN,11功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G10LS-135RN,112制造商:NXP Semiconductors
BLF6G10LS-135RN:11功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
