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BLF6G10-135RN中文资料Power LDMOS transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

BLF6G10-135RN

参数属性

BLF6G10-135RN 封装/外壳为SOT-502A;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A

功能描述

Power LDMOS transistor

封装外壳

SOT-502A

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    BLF6G10-135RN,112

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    871.5MHz ~ 891.5MHz

  • 增益:

    21dB

  • 额定电流(安培):

    32A

  • 功率 - 输出:

    26.5W

  • 封装/外壳:

    SOT-502A

  • 供应商器件封装:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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