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BLF188XR数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

BLF188XR

参数属性

BLF188XR 封装/外壳为SOT-539B;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B

封装外壳

SOT-539B

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:01:00

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BLF188XR规格书详情

描述 Description

A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band.

特性 Features

• Easy power control
• Integrated ESD protection
• Excellent ruggedness
• High efficiency
• Excellent thermal stability
• Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

应用 Application

• Industrial, scientific and medical applications
• Broadcast transmitter applications

简介

BLF188XR属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF188XR晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BLF188XR

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :24.4

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :73.0

  • PL(1dB) (W)

    :1400.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :61.5

  • Test Signal

    :Pulsed RF

  • Fmin (MHz)

    :10

  • Fmax (MHz)

    :600

  • Status

    :Not for design in

  • Matching

    :-

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