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BLF188XR	文件：227.68 Kbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor General description A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. Features and benefits ■ Easy power control ■ Integrated ESD protection ■ Excellent ruggedness ■ High efficiency ■ Excellent thermal stability ■ Designed 文件：227.68 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BLF188XR	文件：1.12064 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor General description A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent thermal stability  Designe 文件：1.12064 Mbytes 页数：15 Pages	Ampleon 安谱隆	Ampleon
BLF188XRG	文件：965.61 Kbytes Page：13 Pages	Power LDMOS transistor General description A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent thermal stability  Designe 文件：965.61 Kbytes 页数：13 Pages	Ampleon 安谱隆	Ampleon
BLF188XRS	文件：1.12064 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor General description A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. Features and benefits  Easy power control  Integrated ESD protection  Excellent ruggedness  High efficiency  Excellent thermal stability  Designe 文件：1.12064 Mbytes 页数：15 Pages	Ampleon 安谱隆	Ampleon
BLF188XRS	文件：227.68 Kbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor General description A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. Features and benefits ■ Easy power control ■ Integrated ESD protection ■ Excellent ruggedness ■ High efficiency ■ Excellent thermal stability ■ Designed 文件：227.68 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BLF188XR_15	文件：227.68 Kbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor 文件：227.68 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BLF188XRG_15	文件：181.12 Kbytes Page：13 Pages	Power LDMOS transistor 文件：181.12 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BLF188XR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power LDMOS transistor A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band. • Easy power control\n• Integrated ESD protection\n• Excellent ruggedness\n• High efficiency\n• Excellent thermal stability\n• Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)\n• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS);	Ampleon 安谱隆	Ampleon
BLF188XR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power LDMOS transistor	恩XP 恩智浦	恩XP
BLF188XRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power LDMOS transistor	恩XP 恩智浦	恩XP

技术参数

GP (dB)：
24.4
Die Technology：
LDMOS
VDS (V)：
50.0
ηD (%)：
73.0
PL(1dB) (W)：
1400.0
PL(1dB) (dBm)：
61.5
Test Signal：
Pulsed RF
Fmin (MHz)：
10
Fmax (MHz)：
600
Status：
Not for design in

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