BLF178P数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BLF178P |
| 参数属性 | BLF178P 封装/外壳为SOT-539A；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-539A |
| 制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 20:00:00 |
| 人工找货 | BLF178P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF178P规格书详情
描述 Description
A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the HF to 110 MHz band.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (10 MHz to 108 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
Industrial, scientific and medical applications
FM transmitter applications
简介
BLF178P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF178P晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：BLF178P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：28.5
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：75.0
- PL(1dB) (W)
：1200.0
- PL(1dB) (dBm)
：60.8
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：10
- Fmax (MHz)
：128
- Status
：Not for design in
- Matching
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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Ampleon USA Inc. |
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SOT539A |
9000 |
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询价 |
