BLF174XR数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BLF174XR |
| 参数属性 | BLF174XR 封装/外壳为SOT-1214B；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-1214B |
| 制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 18:12:00 |
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BLF174XR规格书详情
描述 Description
A 600 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 128 MHz band.
特性 Features
Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 128 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
应用 Application
Industrial, scientific and medical applications
Broadcast transmitter applications
简介
BLF174XR属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF174XR晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：BLF174XR
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：29.0
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：73.0
- PL(1dB) (W)
：600.0
- PL(1dB) (dBm)
：57.8
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：10
- Fmax (MHz)
：128
- Status
：Not for design in
- Matching
：-
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