BLF184XRG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BLF184XRG |
| 参数属性 | BLF184XRG 封装/外壳为SOT-1214C；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封装外壳 | SOT-1214C |
| 制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 20:00:00 |
| 人工找货 | BLF184XRG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF184XRG规格书详情
描述 Description
A 700 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 600 MHz band.
特性 Features
• Easy power control
• Integrated ESD protection
• Excellent ruggedness
• High efficiency
• Excellent thermal stability
• Designed for broadband operation (HF to 600 MHz)
• Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
应用 Application
• Industrial, scientific and medical applications
• Broadcast transmitter applications
简介
BLF184XRG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF184XRG晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：BLF184XRG
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：23.9
- Die Technology
：LDMOS
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：73.5
- PL(1dB) (W)
：700.0
- PL(1dB) (dBm)
：58.5
- Test Signal
：Pulsed RF
- Fmin (MHz)
：10
- Fmax (MHz)
：600
- Status
：Not for design in
- Matching
：-
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