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BLA9H0912LS-700数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

BLA9H0912LS-700

参数属性

BLA9H0912LS-700 封装/外壳为SOT-502B;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY

功能描述

Power LDMOS transistor
BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY

封装外壳

SOT-502B

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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BLA9H0912LS-700规格书详情

描述 Description

700 W LDMOS power transistor for avionics applications in the frequency range from 960 MHz to 1215 MHz.

特性 Features

• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Designed for avionics band operation
• Excellent thermal stability
• Easy power control
• Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
• High flexibility with respect to pulse formats
• Internally matched for ease of use
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

应用 Application

• Avionics transmitter applications in the frequency range from 960 MHz to 1215 MHz

简介

BLA9H0912LS-700属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLA9H0912LS-700晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BLA9H0912LS-700

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :20.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :62.0

  • PL(1dB) (W)

    :700.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :58.5

  • Test Signal

    :Pulsed RF

  • Fmin (MHz)

    :960

  • Fmax (MHz)

    :1215

  • Status

    :Production

  • Matching

    :I/O

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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