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BLA9H0912LS-700数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
BLA9H0912LS-700 |
参数属性 | BLA9H0912LS-700 封装/外壳为SOT-502B;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封装外壳 | SOT-502B |
制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
中文名称 | 安谱隆 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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BLA9H0912LS-700规格书详情
描述 Description
700 W LDMOS power transistor for avionics applications in the frequency range from 960 MHz to 1215 MHz.
特性 Features
• High efficiency
• Excellent ruggedness
• Designed for avionics band operation
• Excellent thermal stability
• Easy power control
• Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
• High flexibility with respect to pulse formats
• Internally matched for ease of use
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
应用 Application
• Avionics transmitter applications in the frequency range from 960 MHz to 1215 MHz
简介
BLA9H0912LS-700属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLA9H0912LS-700晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:BLA9H0912LS-700
- 生产厂家
:Ampleon
- GP (dB)
:20.0
- Die Technology
:LDMOS
- VDS (V)
:50.0
- ηD (%)
:62.0
- PL(1dB) (W)
:700.0
- PL(1dB) (dBm)
:58.5
- Test Signal
:Pulsed RF
- Fmin (MHz)
:960
- Fmax (MHz)
:1215
- Status
:Production
- Matching
:I/O
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AMMP |
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